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마이크로LED 특허

마이크로LED 특허

제목 플렉서블 수직형 발광다이오드 및 그 제조방법

출원 번호 1020130013961

발명의명칭: 플렉서블 수직형 발광다이오드 및 그 제조방법(Flexible vertical light emitting diode and manufacturing method for the same)
Int. CI: H01L 33/64 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 27/15 (2006.01.01) H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
출원번호(일자): 1020130013961 (2013.02.07)

 

 

플렉서블 수직형 발광다이오드 및 그 제조방법

 

 

 

초록
플렉서블 수직 발광다이오드로서, 플렉서블 기판 상에 형성되며, 서로 이격된 복수 개의 발광다이오드 단위 소자층; 상기 소자층 상부 및 소자층 측면에 노출된 금속전극층을 포함하며, 여기에서 상기 단위 소자층은 n-GaN층, 다중양자우물층(MQW), p-GaN층을 포함하며, 상기 소자층 상부의 금속전극층은 상기 n-GaN층과 오믹컨택을 이루며, 상기 소자층 측면에 노출된 금속전극층은 상기 p-GaN층과 오믹컨택을 이루는 것을 특징으로 하는 플렉서블 수직 발광다이오드가 제공된다.

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