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마이크로LED 특허

마이크로LED 특허

제목 반도체 전사용 마이크로 진공 모듈의 제작 방법 및 상기 마이크로 진공 모듈을 이용한 반도체의 전사 방법

출원 번호 1020180067701

발명의명칭: 반도체 전사용 마이크로 진공 모듈의 제작 방법 및 상기 마이크로 진공 모듈을 이용한 반도체의 전사 방법(micro vacuum module for semiconductor device transfer and method for transfering semiconductor device using the micro vacuum module)
Int. CI: H01L 21/52 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01) H01L 21/683 (2006.01.01) H01L 21/027 (2006.01.01) H01L 21/677 (2006.01.01)
출원번호(일자): 1020190053754 (2019.05.08)

우선권정보    대한민국  |   1020180076935   |   2018.07.03
                    대한민국  |   1020180067701   |   2018.06.12

 

 

 

반도체 전사용 마이크로 진공 모듈의 제작 방법 및 상기 마이크로 진공 모듈을 이용한 반도체의 전사 방법

 

 

 

초록
본 발명에 따른 마이크로 진공 모듈을 이용하여 반도체를 전사하는 방법에 있어서, 마이크로 진공 모듈은, 외부 펌프모듈 및 진공 조절부와 연결되는 복수의 연결공이 형성된 진공 형성 기판; 및 상기 진공 형성 기판과 결합된 상태에서, 단수로 구성된 채널 또는 독립적으로 구성되는 복수의 채널이 구비된 패턴 형성부;를 포함하고, 상기 복수의 채널은, 전사 대상인 반도체의 크기보다는 작게 형성되는 복수의 진공홀에 각각 연통하도록 형성되며, 상기 복수의 진공홀은 100㎛ 미만의 지름을 갖는 상태에서, 100㎛ 이하의 폭과 길이를 갖는 마이크로 반도체에 접촉한 뒤, 진공의 흡착력을 이용하여 상기 마이크로 반도체를 전사한다.

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